BSS138N E7854 全國供應商、價格、PDF資料

BSS138N E7854詳細規格

類別：FET - 單

描述：MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

系列：SIPMOS®

制造商：Infineon Technologies

FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET特點：邏輯電平門

漏極至源極電壓333Vdss444：60V

電流_連續漏極333Id4440a025000C：230mA

開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.5 歐姆 @ 230mA，10V

Id時的Vgs333th444（最大）：1.4V @ 250µA

閘電荷333Qg4440a0Vgs：1.4nC @ 10V

輸入電容333Ciss4440a0Vds：41pF @ 25V

功率_最大：360mW

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供應商設備封裝：PG-SOT23-3

包裝：帶卷 (TR)

• BFC238362223

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.022UF 2KVDC RADIAL

• BSS138N E6908

  FET - 單    Infineon Technologies    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3    MOSFET N-CH 60V 230MA SOT-23

• C322C220J2G5TA

  陶瓷    Kemet    徑向    CAP CER 22PF 200V 5% RADIAL

• C0805C153J5RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.015UF 50V 5% X7R 0805

• B41252B8158M

  電容器    EPCOS Inc        1500UF 63V 25.4X25 SNAP IN

• 7-1879688-1

  通孔電阻器    TE Connectivity    軸向    RES 576 OHM 1/2W 0.1% AXIAL

• C0805C399C5GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 3.9PF 50V NP0 0805

• BQ294700DSGR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-WFDFN 裸露焊盤    IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON

• BFC238362242

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 2400PF 2KVDC RADIAL

• B41252B9228M

  電容器    EPCOS Inc        2200UF 100V 30X40 SNAP IN

• C0805C153K1RACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 0.015UF 100V X7R 0805

• 7-1879688-3

  通孔電阻器    TE Connectivity    軸向    RES 604 OHM 1/2W 0.1% AXIAL

• C0805C430J1GACTU

  陶瓷    Kemet    0805（2012 公制）    CAP CER 43PF 100V 5% NP0 0805

• BQ294701DSGR

  PMIC - 電池管理    Texas Instruments    8-WFDFN 裸露焊盤    IC BATT PROT 2-4CELL LIION 8WSON

• BFC238362243

  薄膜    Vishay BC Components    徑向    CAP FILM 0.024UF 2KVDC RADIAL